• GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N
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GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N

Produktdetails:

Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmkj
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: 4Inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenbehälter oder customzied Behälterkasten unter Reinigungsraum
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000PCS/Month
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: GE-einzelnes Kristallge-Fenster Anwendung: Infrarotoptik-Elemente
Art: UNO-lackiertes Ga-doped/n-ARTIG Widerstand: 1-100ohm
Orientierung: <100> Größe: 2inch/3inch/4inch
Oberfläche: doppelte Seite poliert Soem: O.K.
Markieren:

N-Art Oblate GaAs Epi

,

GA lackierte Siliziumscheibe-Substrat

,

GE-Oblaten-Silikon-Substrat

Produkt-Beschreibung

2INCH dia50.8mm GA lackierte GE-Substrat 4inch N-artige Oblaten GE-500um

 

GE-Oblate für Mikroelektronische Anwendung

N-Art, Sb lackierte GE-Oblate
N-Art, undoped GE-Oblate
P-Art, GA lackierte GE-Oblate
Verfügbare Größe: 2" - 6"
Verfügbare Orientierung: (100), (111) oder kundenspezifische Spezifikt.
Verfügbarer Grad: Ir-Grad, elektronischer Grad und Zellgrad
Widerstandskraft:
N - Art: 0.007-30 Ohmcm
P - Art: 0.001-30 Ohmcm
Undoped: >=30 Ohmcm
Oberfläche: wie-geschnitten, polierte das polierte Simplex, doppelte Seite
 
GE-Oblate für optischen Grad:
SL.No Materialanweisungen:  
1 Kristallene Form: Polykristallin
2 Leitfähigkeits-Art: n-artig
3 Absorptions-Koeffizient, an 25°C 0.035cm-1 maximales @10.6µm
4 Typische Widerstandskraft: 3-40 Ohmcm
5 Dichte: 5,3 g/cc
6 Mohs-Härte: 6,3
7 Sauerstoffgehalt: < 0="">
8 Löcher und Einbeziehungen: <0>
9 Poisson-Verhältnis: 0,278
10 Junge-Modul (e): 100 Gpa
     
SL.No Optische Eigenschaften:  
1 dn/dt von 250-350 K: 4 X 10-4 K-1
2 Getriebe an Wellenlänge µm 25°C @10.6  
  für unbeschichtete Probe von Stärke 10mm: Maximum 47% oder mehr
3 Brechungskoeffizient@ µm 10,8: 4.00372471±0.0005
     
SL.No
Thermische Eigenschaften  
1 Schmelzpunkt (K): 1210,4
2 Hitze-Kapazität @ 300K (J/kg.K): 322
3 Wärmeleitfähigkeit @293 K: 59 Wm-1 K-1
4 Koeffizient-thermische Expansion @ (20°C) (10-6 K): 5,8

dia25.4mm GE-Fenster einzelner Crystal Germanium Ge Wafer für Halbleiterbauelement

 

Firmenbeschreibung

ZMKJ ist ein weltweiter Lieferant der einzelnen Kristallgermaniumlinse und einzelner Kristallge-Barren, haben wir einen starken Vorteil, wenn wir einzelne Kristallscheibe zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in der Durchmesserstrecke von 2 Zoll zu 6inch zur Verfügung stellen.

GE-Oblate liegt ein elementares und das populäre Halbleitermaterial, ein an seinen ausgezeichneten kristallographischen Eigenschaften und an den einzigartigen elektrischen Eigenschaften, GE-Oblate wird widly im Sensor, in der Solarzelle und in den Infrarotoptikanwendungen benutzt.

Wir können niedrige Verschiebung und epi zur Verfügung stellen bereite GE-Oblaten, um Ihre einzigartige Bedingung zu erfüllen. GE-Oblate wird gemäß des Halbleiters, mit einem gute Qualitätskontrollsystem produziert, ZMKJ wird eingeweiht der sauberen Lieferung und den GE-Oblatenprodukten der hohen Qualität.

wir können Angebot Elektronikgrad und IR-Grad GE-Oblate, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung.

 

Im Bereich von μm 2-12 ist Germanium das allgemein verwendetste Material für die Produktion von kugelförmigen Linsen und von Fenstern für Infrarot der hohen Leistungsfähigkeit im Darstellungssystem. Germanium hat einen hohen Brechungskoeffizienten (das ungefähr 4,0 bis 2-14μm Band), normalerweise braucht nicht, an seiner niedrigen chromatischen Abweichung in den Darstellungssystemen der geringen Energie geändertes zu liegen.

Einzelner Crystal Germanium Wafer Capability

wir können Elektronikgrad anbieten und IR-Grad GE-Oblate und GE-Barren, treten mit uns bitte für mehr GE-Produktinformation in Verbindung.
 
Leitfähigkeit Dopant Widerstandskraft
(Ohmcm)
Oblaten-Größe
Na Undoped >= 30 Bis 4 Zoll
N-Art Sb 0,001 | 30 Bis 4 Zoll
P-Art GA 0,001 | 30 Bis 4 Zoll

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 0

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 1

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 2GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 3

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 4

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 5

GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N 6

FAQ
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? Ist es frei oder lud auf?
· Wir möchten Proben für freies liefern, wenn wir es auf Lager haben, aber wir nicht Fracht zahlen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
· Betreffend Inventar ist es 3 Werktage;
· Für das kundengebundenes ist es ungefähr 15-25 Werktage, hing vom genauen Quantitäts- und Auftragsdatum ab.
Q: Ist es möglich, spezielle Linse besonders anzufertigen?
· Ja spezielles optisches Element und Beschichtung besonders anzufertigen seien Sie hier verfügbar.
Q: Wie man zahlt?
· T/T, on-line-Versicherungszahlung Alibaba, MoneyGram, Westverband, Paypal und so weiter.
Q: Wie man die Sicherheit der Zahlung sicherstellt?
· ZMKJ ist ein zuverlässiger Lieferant, ist Ansehen und Qualität Leben unserer Firma, und wir stützen Alibaba-Handels-Versicherung.
Q: Wie versenden Sie Waren?
· Niedrige Wertprobe: EUB, E drücken von China-Posten aus, der billig ist;
· Leichtes Paket: DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF ausdrücklich, China-Posten;
· Schwergut: auf dem Luftweg oder durch Meer, Schiff auf Palette.
Unsere Firma genießen einen beträchtlichen Rabatt wegen der langfristigen Zusammenarbeit mit Kurierunternehmen.

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert GE-Oblaten-Halbleiter-Substrat GA Durchmesser-50.8mm lackierte Art 500um des Substrat-N Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
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